| isolaatoralusel räni Pooljuhttehnoloogia, mis võimaldab suurendada transistoride lülituskiirust transistori elementide vahelise mahtuvuse vähendamise teel. Selline kiip tarbib ka vähem võimsust.
SOI-tehnoloogia puhul moodustatakse transisorid pealmisele õhukesele ränikihile, mis on ränialusest eraldatud õhukese klaasist või ränidioksiidist isolaatorikihiga. Üks meetod selle isolaatorikihi tekitamiseks on nn. SIMOX (Separation by Implantation of Oxygen) ehk eraldamine hapniku implantatsiooni teel, kus toimub hapniku implantatsioon räniplaati kõrgel temperatuuril
|